三星官宣：1nm节点启用High-NA EUV，量产定档2030年

三星电子正式调整先进制程光刻路线图，宣布将从1nm（A10）节点开始，在大规模生产中引入High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻技术。预计该技术支撑的1nm芯片量产时间点在2030年左右。

此前市场曾预期三星会在2nm或1.4nm节点就应用这项下一代技术。但三星电子大师Park Chang-min在NGL 2026会议上坦言，High-NA EUV技术仍需进一步打磨，目前判断在A10及以下节点才成为“刚需”。这意味着2nm和1.4nm制程仍将沿用现有的0.33-NA EUV多重曝光方案。

从技术逻辑看，High-NA EUV将光学系统的数值孔径从0.33提升至0.55，显著增强分辨率。其核心优势在于能用单次曝光完成超精细图案制造，替代传统EUV繁琐的多重曝光步骤。这不仅降低了制造成本，更为电路设计提供了更大灵活性，是突破物理极限的关键手段。

根据规划，三星已商业化2nm工艺，并计划2029年量产1.4nm SF1.4工艺。2030年将是关键年份，除了1nm制程，增强版SF1.4+也将同步投产。未来一段时间内，行业将呈现“0.33-NA多重曝光”与“High-NA单次曝光”并行的过渡格局，直到后续世代High-NA完全成为主流。

尽管前景明确，但High-NA EUV面临极高的技术门槛和设备成本压力，掩模版、保护膜等配套材料也需同步迭代。这一路线图的确认，不仅锁定了三星未来五年的资本开支方向，也再次绑定了ASML在高端光刻领域的垄断地位。