国产半导体设备突围：从晶圆制造杀入先进封装

在美国出口管制的压力下，中国半导体设备厂商正加速将技术优势从前道晶圆制造延伸至后道先进封装。随着高带宽内存（HBM）和3D堆叠技术模糊了前后道工序的界限，利用已有的刻蚀、沉积等技术攻克混合键合、切割等环节，成为提升芯片整体性能的关键替代方案。

北方华创已推出两款12英寸混合键合系统，其中晶粒到晶圆（DTW）版本进入客户应用阶段，并新增了TSV电镀及面板级封装设备。中微公司除了传统的TSV刻蚀，其等离子切割设备今年已进入主要客户验证阶段，同时开发底部金属化沉积设备，目标五年内覆盖超70%的先进封装设备品类。

盛美半导体则将其核心的CMP技术拓展至减薄和边缘处理领域，上半年已向国内存储大厂交付首台用于先进内存应用的12英寸减薄设备。这些举动显示，通过多芯片互联弥补单芯片制程受限的思路，正推动设备国产化范围向后端深度扩展。

尽管新品发布密集，但多数设备仍处于客户验证或商业化早期阶段。能否在大规模量产中证明良率、稳定性和生产效率，将是决定这些国产设备能否真正获得市场广泛采用的核心考验。