长鑫存储五代DRAM量产：单晶圆裸片数提升50%

长鑫存储（CXMT）正式宣布启动第五代DRAM平台的大规模生产。这一节点标志着国产存储芯片在制程微缩与产能效率上取得实质性进展，进一步削弱对海外核心制造技术的依赖。

新平台利用四重曝光技术，将关键存储单元间距缩小至11.95nm，显著提升了单芯片密度。同步发布的两款24Gb LPDDR5X芯片专攻智能手机及便携设备，容量较前代同类产品提升50%。更核心的指标在于，基于8Gb芯片测算，新平台每晶圆的总裸片产出量比第四代工艺至少增加50%。需厘清的是，该数据指剔除缺陷前的潜在产出数量，而非最终良率提升。

此次工艺突破并非单纯依靠引进设备，而是通过计算机模拟仿真，并与本土半导体设备商联合研发完成。在中国持续推动芯片制造自主化的背景下，这种“软硬结合+国产协同”的模式正在成为技术突围的关键路径。